为了研究了钙钛矿中NaF的位置及其对钙钛矿稳定性的影响，文月氢作者使用DFT计算钠离子的相对能量，文月氢计算结果表面钠离子在钙钛矿的表面上比在钙钛矿的体相内更稳定，值差为0.2~0.3eV。

电投典型因此需要一种更加简便有效的策略去改善接触条件以提高二维电子器件的性能。相关研究工作得到了国家重点研发项目、融资国家自然科学基金项目、融资山东省杰出青年基金项目、山东省重大科技创新工程、山东大学齐鲁青年学者、山东大学青年交叉科学创新群体等项目的支持。

包括：公司低功率氮等离子体快速修复本征缺陷的高性能二电子器件（Small,2019,1901791.正封底文章，公司IF:10.856），基于微流控技术的单细胞分析（Small,2019,1905001.封面文章，IF:10.856），针对神经信号进行实时原位检测的高稳定性的新型电子器件（npj2DMateriualsandApplications,2019,3,29.Nature旗下，2019即时预测影响因子7.5-10），基于压电子学效应的高灵敏的二维压力传感器（NanoEnergy,2020,70,1044457.IF:15.548）等高水平成果。由于二维半导体材料表面界面的复杂性，成立直接在材料的表面蒸镀金属电极的传统方式很难将接触做到最好，成立如何优化金属与二维半导体的接触界面是一项重要的技术挑战。针对上述难点，案例课题组发展了一种低晶格失配（1.1%）的Se与InSe的垂直范德华异质结来改善二维接触条件，案例这是一种简单有效的策略可以让半导体表面避免了直接金属化的破坏和化学无序。

器件整体性能达到国际先进水平，文月氢此外在实际应用中，与InSe器件相比，InSe-Se异质结器件具有更快的光响应时间和更宽的波长响应范围。我们利用球差校正STEM为异质结的构建提供了直接的证据，电投典型CVD方法生长的二维Se与二维InSe之间形成的是范德化结。

（a）异质结晶体管和InSe晶体管中InSe厚度对场效应迁移率的影响，融资（b）异质结晶体管中Se的厚度对场效应迁移率的影响，融资（c）不同Se的厚度下异质结晶体管的转移特性，VDS=1V,(d)顶栅结构30nm-InSeFET线性区（－0.5-0.5V）的输出特性曲线，(e)5nm-Se异质结晶体管线性区（－0.5-0.5V）的输出特性曲线，(f)10nm-Se异质结晶体管线性区（－0.5-0.5V）的输出特性曲线，(g)顶栅结构30nm-InSeFET饱和区输出特性曲线，(h)5nm-Se异质结晶体管饱和区输出特性曲线，(i)10nm-Se异质结晶体管饱和区输出特性曲线，(j)InSe晶体管和具有不同Se厚度的异质结晶体管的gD-VDS特性，(k)饱和区晶体管的沟道电阻，(l)异质结晶体管的的转移特性曲线，(m)异质结晶体管的30次回滞曲线测试，(n)场效应迁移率随着常温保存时间的退化。

相关工作被MaterialsViewsChina和材料人等学术媒体多次报道，公司被领域权威期刊Chem.Rev.Adv.Func.Mater.Research(AAAS)等多次引用报道，受到同行的广泛关注。漫威《雷神》中，成立洛基的身世就是霜巨人的后代。

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